光刻胶去胶液的应用案例

视频简介

光刻胶去胶液PL311是针对半导体晶圆芯片制造过程而设计，光刻胶层需要在制造过程结束时，从衬底表面去除。可以迅速去除光刻胶残留、其它刻蚀残留物、粉尘颗粒物、油污、手印、氧化硅抛光液残留等脏污，不引入任何污染物，洁净度高，对各种衬底材料、镀膜层、金属配线无腐蚀，无毒无刺激性气味，环保安全。

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